1603HES1149-1系列线性限幅器
性能特点
l频率范围：10-5000MHz
l插入损耗：0.6dB
l低限幅电平：11dBm
l高输入P-1：10dBm
l高三阶交调抑制：60dBc
l高耐功率：5W(CW)
l快速响应时间：10ns
l小封装尺寸：5×5×2.2mm
典型应用
lAD前端保护
l军事航天
l无线通信设备
l雷达
l测试测量
l仪器仪表
概述
随着电子技术发展与半导体工艺的进步，接收链路的线性度越来越高，中频放大器的线性功率输出可达10dBm，饱和功率可达20dBm甚至1W，AD等精密器件的保护问题凸显。传统限幅器起限功率小，漏功率高，功率泄露不平坦，线性度差，很难满足保护AD芯片的要求。
HES1149-1系列限幅器起限功率高(P-1可高达10dBm)，线性度好，功率泄露平坦，漏功率低(可低至13dBm)。金属陶瓷管壳，平行封焊，气密封装，表面贴装；薄膜工艺，稳定可靠，可满足宇航级应用。
电性能表 （50Ω测试系统，TA=+25℃）
型号 |
频率范围(MHz) |
差损a(dB) |
驻波a |
限幅电平b (dBm) |
输入P-1(dBm) |
三阶交调抑制c (dBc) |
最大承受功率(W) |
|||||
Typ |
Max |
Typ |
Max |
Typ |
Max |
Typ |
Min |
Typ |
Min |
|||
HES1149-1 |
10-2000 |
0.4 |
0.8 |
1.5:1 |
1.8:1 |
11 |
13 |
7 |
6 |
55 |
45 |
2 |
2000-5000 |
1.0 |
1.4 |
1.5:1 |
1.8:1 |
9 |
11 |
6 |
5 |
45 |
35 |
2 |
|
HES1149-1A |
60-80 |
0.5 |
0.8 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
65 |
60 |
5 |
HES1149-1B |
100-150 |
0.5 |
0.9 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
65 |
60 |
5 |
HES1149-1C |
200-300 |
0.6 |
1.0 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
65 |
60 |
5 |
HES1149-1D |
300-500 |
0.6 |
1.0 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
60 |
55 |
5 |
HES1149-1E |
700-1000 |
0.7 |
1.2 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
9 |
8 |
60 |
55 |
5 |
HES1149-1F |
1000-1500 |
0.8 |
1.2 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
9 |
8 |
60 |
55 |
5 |
HES1149-1G |
2000-3000 |
0.9 |
1.2 |
1.5:1 |
1.8:1 |
11 |
13 |
9 |
8 |
55 |
50 |
5 |
注：“a” Pin=-20dBm；“b” Pin=25dBm；“c” Pin=0dBm，Δf=1MHz。
典型曲线
极限参数
最大输入功率 |
5W(CW) |
存储温度 |
-65~+125℃ |
工作温度 |
-55~+85℃ |
使用说明
1.电路图按照上图连接，内部集成隔直电容；
2.低频及宇航级产品需用户外置隔直电容；
3.限幅功率较高，使用中注意散热；
4.可提供用户定制的其它频段产品；
5.背面需良好接地。
外形尺寸
