电科芯片全力以赴攻克薄膜铌酸锂电光调制器技术难关，以期在行业内取得突破性进展。

　　针对薄膜铌酸锂调制器的研究，集成光学事业部成立了薄膜铌酸锂波导技术攻关突击队，重点开展低损耗薄膜铌酸锂光波导工艺优化、薄膜铌酸锂相位调制器流片及测试，以及薄膜铌酸锂MZ调制器仿真设计工作。

　　技术攻关过程中，研发团队遇到过许多预料之外的困难和挑战。薄膜铌酸锂调制器的性能直接受到材料生长和刻蚀技术的影响，需要对材料的生长条件和刻蚀技术进行精准控制，这给团队也带来了不小的压力。

　　面对技术难题，研发团队从不气馁，他们坚信，只要坚持不懈，总会找到解决问题的办法。研发人员深入研究技术原理，查阅大量文献资料，与同行深入交流，寻求灵感和启示；同时不断尝试新的方法，调整实验方案，反复验证实验结果。经过大家的不懈努力，高线性薄膜铌酸锂电光调制芯片的关键技术部分终于取得突破性进展。

　　团队将继续以科技创新为抓手，努力开辟科技领域新赛道，不断将科技成果转化为新质生产力，为电科芯片的发展贡献更多的力量。

　　（来源/电科芯片）